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中國移動物聯(lián)網(wǎng)卡是什么(移動物聯(lián)卡查詢系統(tǒng))

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中國移動物聯(lián)網(wǎng)專用卡技術(shù)指標(biāo)分級




1.分級原則


由于各行業(yè)應(yīng)用環(huán)境差異較大,對M2M專用卡各項指標(biāo)要求也不盡相同,通過對各行業(yè)普


遍關(guān)注的技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行分類匯總,并根據(jù)技術(shù)指標(biāo)差異給出各級指標(biāo)量化參數(shù)(如T1 –


T2 – H1 – C1 -? - N1)。


注意:對于本標(biāo)準(zhǔn)未定義的指標(biāo)要求,需根據(jù)具體行業(yè)需求另行規(guī)定。


表1 技術(shù)指標(biāo)定義列表


指標(biāo)代碼


指標(biāo)項


闡述要點(diǎn)


T


操作和存儲溫度


2


H


濕度


3


C


腐蝕


4


V


震動


5


A


模塊附著力


6


R


數(shù)據(jù)保存時間


7


E


擦寫次數(shù)


8


M


抗電磁干擾


9


X


抗X光


10


S


抗靜電


11



2. 操作和存儲溫度


普通SIM卡的操作及存儲溫度標(biāo)準(zhǔn)范圍是:-25°C~85°C。


M2M專用卡溫度分為七個等級,分別是T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7各等級的溫度范圍


如下表所示:


表2 溫度指標(biāo)列表


溫度級別


指標(biāo)要求


T1


-25 to +85°C


T2


-40 to +85°C


T3


-40 to +105°C


T4


-40 to +125°C


T5


-65 to +125°C


T6


-65 to +150°C


T7(存儲溫度)


-65 to +300°C



滿足以上級別要求的M2M專用卡應(yīng)保證:卡片暴露在溫度范圍規(guī)定的最高溫度或者最低


溫度下1000小時,卡的操作正常且存儲正常(T7只要求存儲溫度)。



3. 濕度


濕度目前分為兩個等級,指標(biāo)要求如下表所示:


表3 濕度指標(biāo)列表


濕度級別


指標(biāo)要求


H1


在 50 度 溫 度 , 相 對 濕 度 范 圍


90%~95%,1000小時的條件下,可以保證卡的操作和存儲正常。


H2


在 85 度 溫 度 , 相 對 濕 度 范 圍


90%~95%,1000小時的條件下,可以保證卡的操作和存儲正常。




4. 腐蝕


腐蝕目前只有一個等級為C1,指標(biāo)要求如下表所示:


表4 腐蝕指標(biāo)列表


濕度級別


指標(biāo)要求


C1


在5%鹽度(NaCl)的環(huán)境下存儲至


少24小時,卡的操作和存儲正常。




5. 震動


震動分為三個等級,分別是V1,V2,V3,各等級的震動范圍如下表所示:


表5 震動指標(biāo)列表


震動級別


指標(biāo)要求


V1


5Hz to 500Hz


V2


10Hz to 1000Hz


V3


20Hz to 2000Hz



滿足以上級別要求的M2M專用卡應(yīng)保證:在以上等級的震動環(huán)境下至少2小時,卡的操作


和存儲正常。


對于加速度、振幅等的詳細(xì)要求參見附錄B。


針對V1的指標(biāo)等級范圍是附錄B中的等級3~8;針對V2的指標(biāo)等級范圍是附錄B中等級2;


針對V3的指標(biāo)等級范圍是附錄B中的等級1。



6. 附著力


附著力目前只有一個等級為A1,指標(biāo)要求如下表所示:


表6 附著力指標(biāo)列表


附著力級別


指標(biāo)要求


A1


對卡施加60N的拉力并持續(xù)1分鐘,


模塊不應(yīng)從卡上分離,卡的操作和


存儲正常。




7. 數(shù)據(jù)保存時間


數(shù)據(jù)保存時間是指在無源儲存情況下的數(shù)據(jù)保存時間,不包括由于對M2M專用卡的擦寫6


操作導(dǎo)致卡片數(shù)據(jù)損壞的情況。


數(shù)據(jù)保存時間分為四個等級,分別是R1,R2,R3,R4,各等級的指標(biāo)要求如下表所示:


表7 數(shù)據(jù)保存時間指標(biāo)列表


數(shù)據(jù)保存時間級別


指標(biāo)要求


R1


10年


R2


15年


R3


20年


R4


25年



在每個時間指標(biāo)下,根據(jù)最高存儲溫度范圍,可分為85°C、105°C、125°C三個等級。



8. 擦寫次數(shù)


擦寫次數(shù)是指通過UPDATE指令(參見TS102.221)更新M2M專用卡內(nèi)數(shù)據(jù),保證M2M專用卡


可以正常擦寫和讀取的最小次數(shù)。在對M2M專用卡進(jìn)行重復(fù)擦寫數(shù)據(jù)存儲區(qū)的情況下,保證


某些常用文件(例如SMS)和數(shù)據(jù)不會因頻繁操作而導(dǎo)致?lián)p壞。


卡片擦寫次數(shù)分為四個等級,分別是E1,E2,E3,E4,各等級的指標(biāo)要求如下表所示:


表8 擦寫次數(shù)指標(biāo)列表


擦寫次數(shù)級別


指標(biāo)要求


E1


10萬次


E2


50萬次


E3


100萬次


E4


500萬次




9. 抗電磁干擾


抗電磁干擾分為兩個等級,指標(biāo)要求如下表所示:


表9 抗電磁干擾指標(biāo)列表


電磁級別


指標(biāo)要求


M1


在卡暴露在穩(wěn)定的79500A/m (1000Qe)磁場下,不應(yīng)降低卡片功能。


M2


在 卡 暴 露 在 穩(wěn) 定 的640000A/m(1000Qe)磁場下, 不應(yīng)降低卡片功能。




10. 抗 X 光(紫外線)


抗X光(紫外線)分為1個等級,指標(biāo)要求如下表所示:


表10 抗X光指標(biāo)列表


電磁級別


指標(biāo)要求


X1


在卡的任何一面每邊在受到0.1Gy 劑 量 , 相 當(dāng) 于 70 ~ 140KeV中等能量X射線照射時(一年的累計劑量),不應(yīng)降低卡片功能。




11. 抗靜電


抗靜電分為三個等級,指標(biāo)要求如下表所示:


表11 抗靜電指標(biāo)列表


靜電級別


指標(biāo)要求


S1


在卡暴露在2000V的靜電環(huán)境中,不應(yīng)降低卡片功能。


S2


在卡暴露在4000V的靜電環(huán)境中,不應(yīng)降低卡片功能。


S3


在卡暴露在8000V的靜電環(huán)境中,不應(yīng)降低卡片功能。




標(biāo)簽:鎮(zhèn)江 衡陽 龍巖 赤峰 寧波 達(dá)州 白銀 恩施

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