在本周于舊金山舉辦的SEMICON West大會(huì)上，英特爾推出了系列全新基礎(chǔ)工具，為芯片產(chǎn)品架構(gòu)開啟新維度。包括：Co-EMIB，將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用，以及全方位互連（ODI, Omni-Directional Interconnect）技術(shù)和MDIO全新裸片間接口技術(shù)。
英特爾期望利用先進(jìn)技術(shù)將芯片和小芯片封裝在一起，達(dá)到單晶片系統(tǒng)級(jí)芯片的性能。異構(gòu)集成技術(shù)使得能夠在新的多元化模塊中將各種IP和制程技術(shù)與不同的內(nèi)存和I/O單元混搭起來(lái)。英特爾的垂直集成結(jié)構(gòu)，使得能夠?qū)軜?gòu)、制程和封裝同時(shí)進(jìn)行優(yōu)化。
其中，EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2D封裝和 Foveros 3D封裝技術(shù)利用高密度的互連技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高帶寬、低功耗，并實(shí)現(xiàn)相當(dāng)有競(jìng)爭(zhēng)力的I/O密度。而Co-EMIB技術(shù)能將更高的計(jì)算性能和能力連接起來(lái)。Co-EMIB能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連，基本達(dá)到單晶片性能。設(shè)計(jì)師們還能夠以非常高的帶寬和非常低的功耗連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。
同時(shí)，ODI全新全方位互連技術(shù)（ODI）為封裝中小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。頂部芯片可以像EMIB技術(shù)下一樣與其他小芯片進(jìn)行水平通信，同時(shí)還可以像Foveros技術(shù)下一樣，通過(guò)硅通孔（TSV）與下面的底部裸片進(jìn)行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接從封裝基板向頂部裸片供電，這種大通孔比傳統(tǒng)的硅通孔大得多，其電阻更低，因而可提供更穩(wěn)定的電力傳輸，同時(shí)通過(guò)堆疊實(shí)現(xiàn)更高帶寬和更低時(shí)延。
同時(shí)，這種方法減少了基底晶片中所需的硅通孔數(shù)量，為有源晶體管釋放了更多的面積，并優(yōu)化了裸片的尺寸。此外，MDIO全新裸片間接口技術(shù)，基于其高級(jí)接口總線（AIB）物理層互連技術(shù)，英特爾發(fā)布了一項(xiàng)名為MDIO的。MDIO技術(shù)支持對(duì)小芯片IP模塊庫(kù)的模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠提供更高能效，實(shí)現(xiàn)AIB技術(shù)兩倍以上的響應(yīng)速度和帶寬密度。
這些新技術(shù)共同擴(kuò)充了英特爾的工具箱，將與英特爾的制程技術(shù)相結(jié)合，成為芯片架構(gòu)師的創(chuàng)意調(diào)色板，讓他們能夠自由設(shè)計(jì)出創(chuàng)新產(chǎn)品。
